Транзистор кт630 в Волгограде

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других радиотехнических и электронных устройствах. Транзисторы поставляются в м...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3710 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог HUF75639P3 схема STP40NF10 характеристики цоколевка datasheet MOSFET STP50NE10 Характеристики транзистора IRF3710 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжен...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КП103К - это кремниевые диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Они предназначены для использования во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транз...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-ис...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 72 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 500 pf С...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 72 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 500 pf С...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

N Channel, Id=9.3A, Vds=200V, Rds(on)=0.3ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=82W, корпусTO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700(1500) В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(15000) мА Максимально допустимая пост...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В*: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк, Вт) 60

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350...

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

КТ890А Транзисторы КТ890А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в схемах зажигания автомобильных двигателей. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзистора не более 6,0 г. в комплекте:...

П701 Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе жесткими вывод...

Транзисторы КП350В - это кремниевые диффузно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Они предназначены для использования в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. Транзисторы КП350В выпускаются...

КТ973А Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластма...

Категория: радиодетали. транзистор 2SC5706-T-TL T0-252

IRF840PBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А TO-220AB Технические параметры Структура n-канал​ Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500​ Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 8​ Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В 20 Сопротивление канала в откры...

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В ти...

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 ом при 62a, 10в Макси...

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...

Транзистор КТ898А1 TO-3PML, KT898A1 NPN, 1шт по выгодной цене

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S9013 J3 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MPS6532 схема MPSW01A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S-9013 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не бол...

Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5...

КТ819В транзисторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах. КТ819В транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 2,5 г. Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220). Техни...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Количество в упаковке: 5 шт

Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Используются для работы в радиоэлектронно...

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…...

Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 300(500) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваем...

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзист...

Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

Характеристики транзистора КТ807Б Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА Максима...

Количество в упаковке: 5 шт

Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...

Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...

Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...

Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

Транзисторы КТ315И,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20...

Транзисторы КТ361Б,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.02 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 500 Максимальная рассеи...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150 Гран...

Тип: транзистор

Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...

Наименование: КТ3107АМ Тип: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (PK (max)): 0.25 Вт Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 50 В Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 50 В Максимально допустимое на...

Транзисторы КТ315Ж,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор

Тип: транзистор

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -35 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по ток...

Количество в упаковке: 5 шт

Тип: транзистор

Кремниевые высоковольтные планарно-эпитаксиальные р-п-р транзисторы средней мощности КT644A, КT644Б, КТ644В, КТ644Г предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Размеры кристалла 0,6 х 0,6 мм. Маркировка транзисторов в соотв...

Количество в упаковке: 20 шт

Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…25...

Транзисторы КТ805ВМ, TO-220, 5шт по выгодной цене

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Количество в упаковке: 8 шт

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V Vce Saturation (Max)@ Ib, Ic 400mV@ 20mA, 500mA тип: транзистор

Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Количество в упаковке: 5 шт

Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...

КТ865А (2004-05г), Транзистор PNP, 10А, 200В, h21e=40…200 [КТ-9 / TO-3] (2SA1073) Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 200 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 200 Максимально д...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 ом при 2.7a, 10в Максим...

Количество в упаковке: 10 шт

Наименование производителя: BC557A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряж...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 730 pf...

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...

Описание MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On: 23mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD Корпус TO263,...

Тип: транзистор

Транзисторы КТ315Ж зелёные,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Транзисторы КТ961Б, TO-126, 5 шт по выгодной цене

Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи т...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пост...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока ста...

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 350mW Ucb, max 50V Uce, max 45V Ueb, max 5V Ic, max 100mA Tj, max 150єC Ft, max 300MHz Cctip, pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A,...

Количество в упаковке: 8 шт

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...

Структура npn Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10 Корпус kt-27-2 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц 40 Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи, В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр...

КТ859А Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпу...